HBM混合键合凉了！三星、SK海力士急刹车：HBM4用不上 HBM5也悬

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的混合键合凉K海铜线，

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，力士然而，急刹

16层以上高堆叠产品的用不也悬需求并不紧迫，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的混合键合凉K海挑战。HBM4已放宽至775微米。力士即使到HBM4E阶段，急刹

散热问题也有了更简单的用不也悬替代方案。据报道，混合键合凉K海两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。力士

而HBM3E标准厚度为720微米，急刹但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是用不也悬发展方向。

业内判断，混合键合凉K海导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，力士

SK海力士则推出iHBM技术，急刹三星开发了HPB热通道模块，混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。不过混合键合的研发并未停滞。

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。厚度标准松动后，短期内混合键合不会大规模部署，

7月6日消息，行业分析师指出，在封装内部加入独立热柱，JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。12层产品仍极有可能被用作主流产品。称可较现有产品降低超过30%热阻。有助于减小HBM厚度并改善散热。无需使用凸点，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。两家公司正重新评估采用混合键合的时机，