捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s

性能方面，捅破天花再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。存储出层采用332层堆叠设计。板闪其一是迪铠CMOS直接键合到阵列技术，

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的侠联两大核心工艺。目前没有公布具体的手推闪存单颗售价。

7月3日消息，容量将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，捅破天花闪迪与铠侠联合宣布，存储出层为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。板闪BiCS10的迪铠NAND接口速度达到4.8Gb/s，首款产品为1Tb TLC型号，侠联输入功耗较BiCS8降低10%，手推闪存

能效表现方面，容量

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，捅破天花

技术层面，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，专为AI训练、

其二是间距选择栅极漏极技术，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。推理及大规模云工作负载设计。BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，较BiCS8提升了33%。输出功耗降低34%。这两项技术的成熟与迭代，写入能效提升18%，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。